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电压门控钠离子通道研究进展
作者:转载    转贴自:科技长廊    点击数:643    文章录入: zhaizl

10月1日《细胞科学杂志》(Journal of Cell Science)发表了中科院上海生科院生化与细胞所鲍岚研究组的最新研究成果:电压门控钠离子通道的3亚单位通过掩盖Nav1.8内质网滞留信号增加通道在细胞膜表面的表达量。
电压门控钠离子通道是可兴奋细胞产生动作电位的基础,Nav1.8是特异性高表达在背根神经节初级感觉小神经元中的一种电压门控钠离子通道,它与疼痛的产生有密切的关系。在这项工作中,鲍岚研究组的博士研究生张振宁和李乾等发现Nav1.8主要驻留在内质网中,其第一个胞内环上的RRR结构域是一个内质网滞留信号,对Nav1.8驻留在内质网中有贡献,限制了其有效地向细胞膜表面的运输及功能的行使。当Nav1.8的RRR内质网滞留信号失去功能后,其细胞膜表面表达量较野生型Nav1.8显著升高。电压门控钠离子通道的β3亚单位通过与Nav1.8的第一个胞内环结合,掩盖了Nav1.8的内质网滞留信号,促进Nav1.8向细胞膜表面的运输。上述工作首次在Nav1.8中发现了内质网滞留信号,并对Nav1.8中内质网滞留信号的功能与调控提供了有力的证据,同时也揭示了电压门控钠离子通道β亚单位对α亚单位调控的分子机制,为深入了解疼痛的产生和发展提供了新的研究方向和理论基础。
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