中科院微电子所微细加工与纳米技术研究室主任刘明研究员领导的下一代非挥发性半导体存储器研究组，2009年在阻变存储器（RRAM）研究领域再获新进展。

该研究组研究撰写的题为“Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-based ReRAM with Implanted Ti Ions”的研究论文发表在最新一期《电子器件快报》(IEEE Electron Device letters, 2009, 30(12): 1335-1337)上，题为“Resistive switching properties of Au/ZrO2/Ag structure for low voltage nonvolatile memory applications”的研究论文也已被该刊物接收。

在研究中，刘明研究员领导的研究组基于与CMOS工艺兼容的二元金属氧化物，通过采用适当的掺杂手段和加工工艺、选取适宜的电极材料，通过对阻变机理的深入研究，在提高器件成品率的基础上强化了器件的电阻转变特性和存储性能，从而进一步提升了基于掺杂的二元金属氧化物材料的阻变存储器器件的应用潜力。

阻变存储器（RRAM）的研究工作得到了国家科技重大专项、国家重点基础研究发展计划（973计划）、中国高技术研究发展计划（863计划）和国家自然科学基金的支持，微电子所将在目前的基础上继续研究突破，争取更大的进步。